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Si4654DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
V GS = 10 V thr u 4 V
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0050
0.0046
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4600
36 8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0042
0.003 8
V GS = 4.5 V
2760
1 8 40
0.0034
0.0030
V GS = 10 V
920
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 10 V
1.4
I D = 15 A
V GS = 10 V
V DS = 15 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69813
S09-0138-Rev. C, 02-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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SI4660DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 23.1A 5.6W 5.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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SI4668DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 25V 16.2A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube